ELECTRONICA DE POTENCIA

6. Caída de tensión colector-emisor cuando el transistor está saturado.
7. Tipo de carga responsable de los tiempos de almacenamiento en un BJT.
9. Técnica que consiste en aplicar una corriente de base superior a la necesaria para asegurar la saturación.
13. Característica principal de un IGBT y de un MOSFET.
14. Técnica que reduce pérdidas mediante condiciones ZVS o ZCS.
17. Variación temporal de tensión que puede provocar disparos indeseados en dispositivos de potencia.
18. Resistencia equivalente entre drenaje y fuente cuando el MOSFET conduce.
19. Método de protección utilizado para detectar sobrecorrientes en IGBT.
20. Nombre completo del concepto SOA utilizado en hojas de datos.
21. Potencia convertida en calor dentro de un semiconductor.
23. Fenómeno parasitario que provoca una conducción no controlada entre alimentación y tierra en dispositivos MOS integrados.
24. Tipo de conducción predominante en un MOSFET.
26. Tiempo que tarda la corriente o tensión en pasar del 10% al 90% de su valor final.
27. Región de operación segura definida por límites de corriente, tensión y potencia.
28. Tiempo requerido para eliminar la carga acumulada antes del apagado de un BJT.
29. Relación entre la corriente de salida y la tensión de control en un transistor.

1. Fenómeno producido cuando un semiconductor supera su tensión máxima de bloqueo.
2. Tiempo que tarda una señal en disminuir del 90% al 10% de su valor inicial.
3. Protección relacionada con la temperatura máxima permitida de operación.
4. Intervalo entre la aplicación de una señal de control y el inicio de la conducción.
5. Tiempo requerido para que un diodo deje de conducir después de polarizarse en inversa.
8. Mecanismo destructivo asociado a puntos calientes en BJT de potencia.
10. Elemento no deseado que aparece por la estructura física de los dispositivos.
11. Cambio de estado realizado con tensión y corriente simultáneamente elevadas.
12. Región de operación de un transistor de potencia donde la tensión colector-emisor es baja pero aún no alcanza la saturación profunda.
15. Efecto asociado a la capacitancia puerta-drenaje que afecta la velocidad de conmutación.
16. Estrategia donde el encendido ocurre con tensión prácticamente nula.
20. Red de protección destinada a limitar sobretensiones durante la conmutación.
21. Variación temporal de corriente que limita la velocidad de conmutación.
22. Estrategia donde la conmutación ocurre con corriente prácticamente nula.
25. Reducción intencional de la capacidad nominal para aumentar confiabilidad.